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【失效分析】MCU/Mixed-Signal IC 中 AVDD 已上電、VDD 未上電的風險解析
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【失效分析】MCU/Mixed-Signal IC 中 AVDD 已上電、VDD 未上電的風險解析 RISK OVERVIEW // 晶片內部結構與風險 一、 為什麼 AVDD 有電、VDD 沒電會有危險? 在 MCU、ADC、DAC、SoC 或其他混合訊號積體電路(Mixed-Signal IC)中,AVDD(類比電源)與 VDD(數位電源)雖然在系統設計上屬於不同的電源域(Power Domain),但在晶片內部並不是完全孤立的。 晶片內部為了實現訊號傳遞、靜電防護與製程共用,存在許多跨接的物理結構: 主動與保護元件: ESD 保護二極體(ESD Diode)、電源鉗位電路(Power Clamp)、準位轉換器(Level Shifter)、隔離單元(Isolation Cell)。 寄生與製程結構: MOSFET 的寄生體二極體(Body Diode)、矽基板(Substrate)、井結構(N-Well / P-Well)、防護環(Guard Ring)。 共用電路: 偏壓產生器(Bias Generator)、能隙參考電壓(Bandgap Reference)、上電復位電路(POR, Power-On Reset)。 核心觀念: AVDD 與 VDD 並非兩座完全獨立的孤島。當其中一個電源域已上電,而另一個仍為 0V(或浮空)時,這些內部路徑就會因為壓差而產生非預期的電流流動。 MECHANISM A // 反向供電效應 二、 關鍵的第一步:Back Power(反向供電) 很多工程師在探討這個問題時,常直覺地說「因為寄生二極體導通了」。...
晶片退貨常見死因:全面拆解 EOS(電氣過應力)的明槍與暗箭
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晶片退貨常見死因:全面拆解 EOS(電氣過應力)的明槍與暗箭 DEFINITION & COMPARISON // 概念與特徵對比 一、 什麼是 EOS? 在半導體與積體電路(IC)領域,不論是產品工程師(PE)、測試工程師(TE)還是品質保證(QA)專家,在處理失效分析(FA, Failure Analysis)報告時, EOS 絕對是最常遇到、也最容易引發各方論戰的專有名詞。 EOS 是 Electrical Overstress 的縮寫,中文稱為 「電氣過應力」 。簡單來說,這代表晶片承受了超過其設計極限的電流、電壓或功率。晶片內部脆弱的微型電路因為禁不起這股強大能量的衝擊,瞬間產生高熱而活生生被「燒毀」了。你可以把它想像成晶片內部發生了一場嚴重的「火災」或「走火短路」,在晶片內部(Silicon Die)通常會留下非常粗暴且明顯的熔化痕跡。 ● EOS 與 ESD 有何不同? 在失效分析中,EOS 常與 ESD(靜電放電) 被拿來對比,但兩者的物理能量與破壞力截然不同: 特性 ESD (靜電放電) EOS (電氣過應力) 能量特徵 電壓極高,但電流微弱、時間極短(奈秒級 ns) 電壓不一定極高,但持續時間長、電流大、能量高 受損痕跡 ...
【半導體入門】什麼是 OSAT?一文看懂半導體委外封測的核心與全球大咖
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【半導體入門】什麼是 OSAT?一文看懂半導體委外封測的核心與全球大咖 DEFINING OSAT // 什麼是 OSAT? 一、名字怎麼來的? OSAT 的英文全稱是: Outsourced Semiconductor Assembly and Test 。拆開來看,意思非常直覺: Outsourced: 外包 / 委外 Semiconductor: 半導體 Assembly: 封裝(把晶片包裝保護起來) Test: 測試(檢查晶片會不會亮、有沒有壞) 簡單來說,OSAT 就是 「專門幫別人做晶片封裝和測試的代工廠」 (俗稱封測廠)。 INDUSTRY POSITION // 產業供應鏈定位 二、他們在晶片生產線的哪個位置? 晶片從設計到做好,就像蓋房子一樣是分工合作的。OSAT 負責的是最後一關(後段製程): IC 設計公司(如:聯發科、高通): 負責畫設計圖,自己沒有工廠。 晶圓代工廠(如:台積電): 負責把設計圖印到晶圓上(前段製程)。 OSAT 廠(如:日月光): 負責把做好的晶圓切開、包起來並測試,過關了才出貨。 CORE SERVICES // 兩大核心服務 三、OSAT 到底在做什麼? 晶圓代工廠...
MCU 的「內建心跳」:什麼是 HIRC?為什麼會發生頻率偏移(Over Spec)?
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MCU 的「內建心跳」:什麼是 HIRC?為什麼會發生頻率偏移(Over Spec)? 在 MCU(微控制器)的世界裡,如果把 CPU 比作大腦,那 HIRC(Internal High-Speed RC Oscillator,內部高速 RC 振盪器) 就是大腦的「心跳」。 CONCEPT // 核心概念解析 一、什麼是 HIRC? 簡單來說,它是 MCU 晶片裡面內建的時鐘源。 優點: 幫您省下外接石英晶體(Crystal)的成本與空間,讓電路板設計更簡潔。 本質: 它是靠內部的電阻(R)和電容(C)來產生頻率。就像用橡皮筋的彈性來計時一樣,容易受到周圍物理環境影響。 COMPARISON // 規格與選用建議 二、HIRC vs. Crystal:該選哪一個? 比較項目 HIRC (內部振盪器) Crystal (外部石英晶體) 成本/空間 免費、省空間 (無外部元件) 需額外採購、佔用 PCB 空間 穩定度 ...
【測試技術】ADVANTEST V93000 Wave Scale MX 測試卡技術導讀與核心規格教學
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【測試技術】ADVANTEST V93000 Wave Scale MX 測試卡技術導讀與核心規格教學 TECHNOLOGY OVERVIEW // 技術導讀 一、 前言:應對 SoC 與混合訊號測試挑戰 在現代半導體測試中,SoC 與混合訊號(Mixed-Signal)晶片的複雜度日益提高,測試廠面臨著「既要高密度、又要高彈性、還要能降低測試成本」的嚴苛挑戰。ADVANTEST 推出的 Wave Scale MX 測試卡,便是為了打破傳統儀器通道數受限與硬體切換死板的瓶頸,透過創新的高密度整合與硬體序列化架構,提供高度可擴充的測試解決方案。 HARDWARE ARCHITECTURE // 核心硬體架構 二、 核心硬體架構:從通道到晶片的極致整合 Wave Scale MX 的底層設計體現了高彈性與高密度的創新整合,主要分為三個層次: ● 超高密度通道配置 每張測試卡(Card)內部共整合了 32 個獨立儀器(Instruments) ,能提供極高密度的測試覆蓋率。 ● 強大訊號介面(Signal Interface) 前端提供 64 個雙向類比 Pogo 針腳(Bidirectional Analog Pogos) 。 💡 關鍵特點: 每一個針腳皆內建 PMU (Parametric Measurement Unit,參數測量單元),可獨立進行精準的電壓/電流直流特性量測。 ● 模組化晶片硬體架構 每張卡由 2 片電路板(Boards) 組成,單片板包含 16 個單元(Units) 。 內建 2:1 多工器(Multiplexer)...
【測試指南】Advantest V93000 PS1600 數位板卡硬體規格 - SD 與 HD基本規格
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【測試指南】Advantest V93000 PS1600 數位板卡硬體規格 - SD 與 HD基本規格 HARDWARE SPECIFICATIONS // 規格與特性對照 一、 SD 與 HD 基本規格對照 在 Advantest V93000 測試系統中,PS1600 (Pin Scale 1600) 數位針腳卡依據硬體通道密度與實體接頭設計的不同,明確區分為 SD (Standard Density) 與 HD (High Density) 兩種實體板卡規格。 規格與特性 PS1600 SD (Standard Density / 標準密度) PS1600 HD (High Density / 高密度) 單卡通道數 128 個數位通道 (Channels) 256 個數位通道 (Channels) 技術定位 早期推出的標準規格。 專為高併測 (High Multi-site) 或高腳數 (High Pin Count) 晶片設計的雙倍密度版本。 核心優勢 通道密...
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